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[CN]数学解释Numerical Explanation.md

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晶体塑性本构模型框架

晶体的变形

变形梯度张量 $\mathbf{F}$ 与速度梯度 $\bf{l}$

$$ \bf{F}=\frac{\partial\bf{{x}}}{\partial\bf{{X}}} $$

$$ \bf{l}=\frac{\partial \bf{v}}{\partial \bf{X}} $$

两者之间的关系为:

$$ \dot{\mathbf{F}}=\mathbf{l}\mathbf{F} $$

$$ \mathbf{F}=\mathbf{F}^e\mathbf{F}^p $$

$$ \mathbf{l}=\dot{\mathbf{F}}\mathbf{F}^{-1}=\dot{\mathbf{F}^e}(\mathbf{F}^e)^{-1}+\mathbf{F}^e\dot{\mathbf{F}^p}(\mathbf{F}^p)^{-1}(\mathbf{F}^e)^{-1}$$

$$ \mathbf{l}^e=\dot{\mathbf{F}^e}(\mathbf{F}^e)^{-1}$$

$$ \mathbf{l}^p=\mathbf{F}^e\dot{\mathbf{F}^p}(\mathbf{F}^p)^{-1}(\mathbf{F}^e)^{-1}$$

对每一个速度梯度,都有其对称部分(应变率张量)与反对称部分(旋率张量):

$$ \mathbf{l}=\mathbf{d}+\mathbf{w} $$

$$ \mathbf{l}^e=\mathbf{d}^e+\mathbf{w}^e $$

$$ \mathbf{l}^p=\mathbf{d}^p+\mathbf{w}^p $$

在每一步求解时,晶粒的变形相关张量(应变,取向矩阵)更新:

$$ \mathbf{\varepsilon}_{t+\Delta t}=\mathbf{\varepsilon}_t+\mathbf{d}\Delta t $$

$$ \mathbf{M}_{t+\Delta t}=\mathbf{M}_{t}(\mathbf{I}+\mathbf{w}^e\Delta t)^T $$

这里晶粒的取向矩阵为

$$ \mathbf{M}=\begin{bmatrix} u & m & h \\ v & n & k \\ w & o & l \end{bmatrix} $$

代表参考坐标系的x,y,z三轴分别对应晶粒坐标系下的$(uvw),(mno),(hkl)$

对于弹性变形梯度,其polar decomposition得到旋转矩阵与变形矩阵:

$$ \mathbf{F}^e=\mathbf{RU} $$

则有:

$$ \mathbf{M}=\mathbf{M}_0\mathbf{R}^T $$

弹塑性本构关系

$$ \dot{\mathbf{\sigma}}-\mathbf{w}^e\mathbf{\sigma}+\mathbf{\sigma}\mathbf{w}^e+\mathbf{\sigma} tr(\mathbf{d}^e)=\mathbb{C}:\mathbf{d}^e $$

$$ \dot\sigma=\mathbf{C}(d-d_p)-\sigma tr(d)+w_e\sigma-\sigma w_e $$

$$ =\mathbf{C}d-\sigma tr(d) + w\sigma - \sigma w - \mathbf{C}d_p - w_p\sigma + \sigma w_p $$

收敛求解:牛顿迭代法

$$ \begin{align*}f(X)&=(\mathbf{C}d-\sigma tr(d) + \mathbf{\Sigma} w - \mathbf{C}d_p - \mathbf{\Sigma} w_p - \dot{\sigma})dt \\ &=(\mathbf{C}d-\sigma tr(d) + \mathbf{\Sigma} w - \mathbf{C}d_p - \mathbf{\Sigma} w_p)dt - \Delta\sigma\end{align*} $$

$$ X=(w,d,\Delta\sigma) $$

式中:

$$ \mathbf{\Sigma}=\begin{pmatrix} 0 & \sigma_5 & \sigma_6 \\\ \sigma_4 & 0 & -\sigma_6 \\\ -\sigma_4 & -\sigma_5 & 0 \\\ \frac12(\sigma_3-\sigma_2) & -\frac12\sigma_6 & -\frac12\sigma_5\\\ -\frac12\sigma_6 & \frac12(\sigma_3-\sigma_1) & \frac12\sigma_4\\\ \frac12\sigma_5 & \frac12\sigma_4 & \frac12(\sigma_2-\sigma_1) \end{pmatrix} $$

则梯度:

$$ \frac{\partial f(X)}{\partial X} = \mathbf{C'} \partial d+\mathbf{\Sigma}\partial w +\frac{\partial f(X)}{\partial{\Delta\sigma}}\partial{\Delta\sigma} $$

$$ \mathbf{C'}=\mathbf{C}-\begin{pmatrix}\sigma&\sigma&\sigma&0&0&0\end{pmatrix} $$

为了表述与code对应,将张量写为6维形式:

$$ \frac{\partial f(X)}{\partial \Delta \sigma}=-I-C\frac{\partial\tilde{d_p}}{\partial \Delta\sigma}-\Sigma N^{-1}\frac{\partial\tilde{w_p^*}}{\partial \Delta\sigma} $$

$$ =-I-C(M_{cpl}\frac{\partial\tilde{d_p}^c}{\partial \Delta\sigma^c}M_{cpl}^T)-\Sigma N^{-1}(M_{cpl}\frac{\partial\tilde{d_p^{*c}}}{\partial \Delta\sigma^c}M_{cpl}^T)_{4:6} $$

式中:

$$ \tilde{d_p} = \begin{bmatrix} d_1 & d_2 &d_3 & 2d_{23} & 2d_{13} & 2d_{12} \end{bmatrix}] $$

$$ \tilde{w_p^*} = \begin{bmatrix} 0 & 0 & 0 & 2w_{23} & 2w_{13} & 2w_{12} \end{bmatrix}] $$

c上标代表在晶格坐标系, $M_{cpl}$ 为对应的6阶柔度张量旋转阵。

$$ S = \begin{pmatrix} s_1 n_1 & s_2 n_2 & s_3 n_3 & (s_2 n_3 + s_3 n_2) & (s_1 n_3 + s_3 n_1) & (s_1 n_2 + s_2 n_1) \end{pmatrix}^T $$

$$ A = \begin{pmatrix} 0 & 0 & 0 & (s_2 n_3 - s_3 n_2) & (s_1 n_3 - s_3 n_1) & (s_1 n_2 - s_2 n_1) \end{pmatrix}^T $$

$$ \frac{\partial{d_p^c}}{\partial \Delta\sigma^c}=SS^T\frac{\partial\dot\gamma dt}{\partial\tau} $$

$$ \frac{\partial{w_p^c}}{\partial \Delta\sigma^c}=AS^T \frac{\partial\dot\gamma dt}{\partial\tau} $$

对于不同的边界条件设定,有

$$ \begin{pmatrix} d \\ w \\ \Delta \sigma \end{pmatrix}_{15\times 1} = \begin{pmatrix} I_{3\times 3} & 0 & 0 & 0_{3\times 6} \\ 0 & 0.5I_{3\times 3} & 0.5I_{3\times 3} & 0_{3\times 6} \\\ 0 & 0.5I_{3\times 3} & -0.5I_{3\times 3} & 0_{3\times 6} \\\ 0 & 0 & 0 & I_{6\times 6} \end{pmatrix}_{15\times 15} \begin{pmatrix} L \\\ \Delta \sigma \end{pmatrix}_{15*1} $$

得到目标函数 $f(X)=0$ 与梯度 $\partial f(X)/\partial X$ 之后,即可根据牛顿迭代法求 $X$ ,即

$$ X_{n+1}= X_n + \frac{f(X)}{\partial f(X)/\partial X} $$

未收敛的情况:牛顿下山法

$$ X_{n+1}= X_n + c\cdot\frac{f(X)}{\partial f(X)/\partial X} $$

  • $|f_{n+1}|/|f_n|>1$ ,令 $c=1/2c$ ,并重算本步;若 $|Y_{n+1}|/|Y_n|\le1$ ,令 $c=1$

塑性变形机制

滑移

塑性速度梯度的计算

$$ \mathbf{l}^p=\Sigma_\alpha\dot\gamma^\alpha \mathbf{s}^\alpha \mathbf{n}^{\alpha T} $$

$$ \mathbf{s}^\alpha=\mathbf{F}^e\mathbf{s}_0^\alpha $$

$$ \mathbf{n}^\alpha=(\mathbf{F}^{e-1})^{T}\mathbf{n}_0^\alpha $$

位错速度与分切应力

$$ v=L/(t_w + t_r) $$

目前对于式中的等待时间$t_w$与运动时间$t_r$的形式并没有绝对的统一形式,这里考虑到两种力的作用:强钉扎力与弱钉扎力。强钉扎力不受温度影响,弱钉扎力受到温度影响。则

$$ \begin{align*} & t_w= \frac{1}{\nu_0} \exp(\frac{Q_a}{k_BT}), \\\ &Q_a = Q_0[1-\text{sgn}(|\tau|-\tau_f)(\frac{||\tau|-\tau_f|}{\tau_c})^\xi] \\\ &t_r=L \left(v_{s}\left[\sqrt{1+\left(\frac{v_{s}}{v_m}\right)^{2}}-{\frac{v_s}{v_m}}\right]\right)^{-1},\\\ &v_m=\frac{2b}{B_0}|\tau-\tau_f|,B_{0}=\frac{c_{d} K_{\mathrm{B}} T}{v_{s} b^{\alpha^{2}}}\\\ \end{align*} $$

式中 $\tau_f$ 为强钉扎力,而 $\tau_c$ 为弱钉扎力。对于不同的材料体系,两者的组成是不同的,例如一些FCC结构中可以考虑Peierls Barrier为弱作用,而dislocation junction为强作用。上式对应的梯度形式为:

$$ \frac{\partial t_w}{\partial\tau}=-\frac{1}{\nu_0kT}\exp(\frac{Q_a}{kT})\frac{\partial Q_a}{\partial\tau}; $$

$$ \frac{\partial Q_a}{\partial\tau}=-\text{sgn}(\tau)\xi Q_0(\frac{||\tau|-\tau_c|}{\tau_o})^{\xi-1} $$

$$ \frac{\partial t_r}{\partial \tau}=-\text{sgn}(\tau)\frac{2bL}{v_m^2B_0}\frac{v_s^2}{v_m^2}(1-\frac{v_s}{v_m\sqrt{1+\left(\frac{v_s}{v_m}\right)^2}}) $$

一些尝试过又废弃的形式

下面的形式都是只考虑弱作用或者强作用,而弱形式与强形式未合理对应的形式

$$ t_w=[\nu_D\frac {b^2 l}{\Omega_k}\exp(- Q_s/k_BT)]^{-1}\ Q_s=(Q_0) [1-(|\tau| / \tau_c)^\alpha],Q_0>2k_BT\ \Omega_k=\frac{Q_0}{\tau_P},\tau_c=\tau_P+\tau_b $$

$$ t_{r}=\lambda \left(v_{s}\left[\sqrt{1+\left(\frac{v_{s}}{v_m}\right)^{2}}-{\frac{v_s}{v_m}}\right]\right)^{-1} \\ v_m=\frac{2b}{B_0}(|\tau|-\tau_c)+v_c, B_{0}=\frac{c_{d} K_{\mathrm{B}} T}{v_{s} b^{\alpha^{2}}} $$

$$ \frac{\partial t_w}{\partial\tau} = -\frac{sgn(\tau)\alpha Q_0^2}{\nu_D b^2 l \tau_P\tau_ck_BT}\exp(\frac{Q_s}{k_B T})(|\tau|/\tau_c)^{\alpha-1} $$

$$ \frac{\partial t_r}{\partial\tau}=-sgn(\tau)\frac{2b\lambda}{v_m^2B_0}(\frac{v_s^2}{v_m^2}(1-\frac{v_s}{v_m}(1+(\frac{v_s}{v_m})^2)^{-1/2}) $$

或者:

$$ t_w=[\nu_D\frac {b^2 l}{\Omega_k}\exp(- Q_s/k_BT)]^{-1} $$

$$ Q_s=(Q_0) [1-(\frac{|\tau|-\tau_b} {\tau_P})^\alpha],Q_0>2k_BT $$

$$ \Omega_k=\frac{Q_0}{\tau_P},\tau_c=\tau_P+\tau_b $$

对应的梯度改变为: 

$$ \frac{\partial t_w}{\partial\tau} = -\frac{\text{sgn}(\tau)\alpha Q_0^2}{\nu_D b^2 l \tau_P^2k_BT}\exp(\frac{Q_s}{k_B T})(\frac{|\tau|-\tau_b}{\tau_P})^{\alpha-1} $$

硬化机制

$\rho_h$ 代表了其他滑移系位错对当前滑移系的阻碍作用,表示排他性; $\rho_J$ 代表了当前滑移系位错水平对交互作用的贡献,允许当前滑移系在位错水平较低时降低交互作用的阻碍性。

$$ \tau_c = \tau_P + c_b b G \sqrt{\rho_h + \rho_J} $$

$$ \rho_J = \sum_{\beta\neq\alpha} {h^{\alpha\beta} \sqrt{\rho^\beta_s\rho^\alpha_s}},\rho_s=\rho-\rho_0 $$

$$ \rho_h = \sum h^{\alpha\beta} \rho^\beta_e , \rho_e = \rho + \text{min} (\rho^\beta, \rho^\gamma), \alpha, \beta, \gamma \text{ are coplanar slips.} $$

为了判断滑移系属于哪种情况,且避免一开始就输入一个巨大的矩阵,还要与滑移系一一对应,还是通过几何条件判断确定 $f^{\alpha\beta}$ 的分类与取值:

  1. 判断位错反应是否可以自发产生(Frank定理) $b^\alpha\cdot b^\beta\ne0$ :是,继续,否则 H
  2. 判断伯氏矢量是否平行 $|\cos<b^\alpha,b^\beta>|=1$ : 是, N, 否则继续
  3. 判断是否共面 $|\cos<n^\alpha,n^\beta>|=1$ : 是: C, 否则继续
  4. 判断新生位错是否可以在原滑移系滑移 $n^\alpha\cdot(b^\alpha+b^\beta)=0 || n^\beta\cdot(b^\alpha+b^\beta)=0$:是 G, 否 S

对于上面五种交互模式的说明:

  1. N,No junction,两个滑移系上位错反应生成的新位错伯氏矢量与原滑移系位错平行
  2. H,Hirth lock,生成的新位错伯氏矢量不符合Frank定理(新位错能量比反应前更低)
  3. C,Coplanar junction,生成的新位错伯氏矢量与原有位错共面
  4. G,Glissile junction,生成的新位错伯氏矢量符合能量定理,且可以在原滑移面上滑移
  5. S,Sessile junction,生成的新位错伯氏矢量符合能量定理,但是不在原位错所在的两个滑移面上,无法滑移。

上面的五种情况下,取协同硬化参数修正系数为 $a_N,a_{HL},a_{CJ},a_{GJ},a_{SJ}$ ,则有: $a_{SJ}\gt a_{GJ} \gt a_{CJ} \gt a_{HL} \gt a_{N}$

饱和位错密度相关

材料中饱和位错密度是率相关的,根据(Beyerlein & Tomé, 2008) 的工作,记为:

$$ \frac1{\sqrt{\rho_{sat}}}=\frac{k_2}{k_1}=\frac{c_h b}{g}(1-\frac{kT}{Db^3}\ln(\frac{|\dot\varepsilon|}{\dot\varepsilon_0})) $$

但这一形式还有细节需要讨论。具体位错密度的更新方法也众说纷纭,本code采用以下形式:

$$ d \rho=\left(k_{\rho, n u c} \frac{\left|\tau-\tau_{c, n u c}\right|}{G b^2}+\frac{k_{\rho, m u l}}{\bar{L}}\right)\left[1-\left(\frac{c_h b}{g}\left(1-\frac{k T}{D b^3} \log \frac{|\dot{\varepsilon}|}{\dot{\varepsilon}_0}\right)\right)^2 \rho\right] d \gamma $$

上式中包含位错非均匀形核项 $k_{\rho, n u c} \frac{\left|\tau-\tau_{c, n u c}\right|}{G b^2}$ ,增殖项 $\frac{k_{\rho, m u l}}{\bar{L}}$ ,并控制最终的饱和位错密度水平。